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VishayP沟道GenIIIMOSFET具有业内最低导通电阻

发布时间:2020-07-21 18:14:40 阅读: 来源:咖啡机厂家

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。新推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率,是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-20V器件,占位面积为3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。

本文引用地址:、Si5415AEDU和SiSS23DN适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、工业传感器和POL模块里的电源管理等各种应用中的负载、电池和监控开关。器件的低导通电阻使设计者能够在其电路里实现更低的电压降,更高效地使用电能,延长电池使用寿命。

Si5411EDU数据表链接地址:。

Si5415AEDU数据表链接地址:。

SiSS23DN数据表链接地址:。

在节省PCB空间是首要因素的应用里,-12V Si5411EDU不但具有8.2mΩ(-4.5V)和11.7mΩ(-2.5V)低导通电阻,而且3.0mm x 1.9mm PowerPAK ChipFET封装具有明显优势。当需要更高的电压等级时,-20 V Si5415AEDU可满足需求,具有9.6mΩ(-4.5V)和13.2mΩ(-2.5V)的低导通电阻。两款器件的典型ESD保护为5000V。对于需要极低导通电阻的应用,SiSS23DN的4.5m?(-4.5V)和6.3m?(-2.5V)导通电阻可满足需求,3.3mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封装的高度低至0.75mm。

Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN进行了100%的Rg和UIS测试。这些MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定,符合RoHS指令2011/65/EU。

器件规格表:

器件型号

Si5411EDU

Si5415AEDU

SiSS23DN

VDS (V)

-12

-20

-20

VGS (V)

± 8

± 8

± 8

RDS(ON) (m?) @

4.5 V

8.2

9.6

4.5

3.7 V

9.4

-

-

2.5 V

11.7

13.2

6.3

1.8 V

20.6

22.0

11.5

封装

PowerPAK ChipFET

PowerPAK ChipFET

PowerPAK 1212-8S

Vishay的P沟道Gen III系列包括60余款器件,占位面积从5mm x 6mm到0.8mm x 0.8mm。

新款P沟道MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十三周。

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